「精品新聞」2019年大陸晶圓廠支出或躍居至全球第一

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隨著大陸半導體業者在2016年宣布將要興建,或正在興建中的新晶圓廠設備計劃數已達20餘處,預計2018年當地晶圓設備支出將會超過100億美元,並且2019與2020年此一支出還會繼續揚升,使大陸地區躍升為全球最大的晶圓設備市場。

半導體產業資訊業者Semiconductor Advisors LLC分析師Robert Maire表示,大陸地區晶圓設備支出,很可能即將超越台灣與韓國,不但會躍居為全球第一線半導體生產要地,也很可能會創下單一地區最高支出新紀錄。

也因著大陸新建晶圓廠的增加,從而為半導體設備、材料、服務,以及關鍵系統等供應商提供了重要市場機會。

根據國際半導體設備材料產業協會(SEMI)先前公布資料,近年大陸地區半導體設備銷售額,以及在全球總銷售額中的占比均持續上揚。

以2016年為例,大陸半導體設備銷售額已占全球16.88%,僅次於台灣的28.34%,以及韓國的17.99%。

2017年大陸地區投資金額水漲船高

SEMI表示,2017年將會是大陸地區晶圓設備支出組成的分水領。

在2017年之前,大陸晶圓設備支出所需資金大多來自如三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)與英特爾(Intel)等海外跨國業者。

然而約由2017年起,這些跨國業者,再加上如台積電、聯電和GlobalFoundries等,雖然仍然繼續會在大陸投資,但由大陸業者而來的投資金額也會越來越多,並且逐漸成為設備支出成長的主要驅動力。

預估2018年大陸業者投資金額,將約占當地總支出金額的半數;2019與2020年大陸業者投資則會占總支出半數以上。

投資多集中在存儲器和晶圓代工設備

SEMI表示,在大陸將要興建,或正在興建中的20餘處新晶圓廠設備中,有16處為12吋(300mm)晶圓設施。

而在12吋晶圓設施中,又以存儲器和晶圓代工設施數量為最多。

此外預計由2017年起,晶圓代工設施將會成為大陸地區晶圓設備支出最主要部分,並且此一趨勢會一直延續到2020年。

在新建存儲器晶圓設施部分,除韓國三星計劃在大陸西安進行3D NAND Flash第二階段擴廠外,大陸業者長江存儲/武漢新芯、紫光集團、福建晉華,以及兆易創新等也正在或計劃在南京、武漢、福建與合肥等地興建DRAM或NAND Flash存儲器廠。

NAND Flash仍具機會 DRAM面臨挑戰

不過SEMI表示,就現有技術與人力資源而言,大陸業者在存儲器市場將會面臨挑戰。

在3D NAND方面,由於該市場具有強勁成長潛力,再加上各技術仍相對處於早期階段,因此對3D NAND製造設施的投資,仍然具有相當的市場機會。

然而在DRAM方面,由於該市場成長已經放緩,進一步技術發展也越來越困難,再加上目前市場上已有不少經營許久的業者,預計大陸DRAM業者可能會面臨重大挑戰。

晶圓代工成長勢頭不減

再就晶圓代工而言,目前大陸中芯國際(SMIC)和華虹集團(HuaHong Group)等已經成為全球知名晶圓代工業者。

這些業者進一步的擴廠計劃,將會涵蓋現有成熟與尖端製程兩大部分。

如中芯國際在上海興建採用14納米先進位程的晶圓代工廠,並在深圳設立採用65/90納米製程的12吋晶圓代工廠。

華虹集團投資的華力微電子在上海展開的新一波擴廠計劃,則是在起始階段以28納米製程為起步,最終目標是要達到具備14納米3D高階晶片製造能力。

除大陸業者外,台積電也正在南京興建全資16納米代工廠,聯電與力晶則是與大陸業者合作,分別在廈門與合肥興建晶圓代工廠。

雖然就長期而言,全球晶圓代工市場供過於求的隱憂仍然存在,但隨著大陸半導體市場與當地半導體設計產業的快速成長,大陸與海外晶圓代工業者仍能在大陸市場看到巨大機會。

大陸IC設計業產值高漲

根據中國半導體行業協會(CSIA)最新公布資料,2016全年大陸IC產業銷售額為人民幣4,335.5億元(約合630.5億美元),年增20.1%。

其中,IC設計業銷售額為人民幣1,644.3億元,年增24.1%;IC製造業年增25.1%,達人民幣1,126.9億元;封裝測試業人民幣1,564.3億元,年增13%。

雖然大陸IC產業總產值仍遜於台灣,但IC設計業產值已高於台灣。

據悉,台灣2016全年整體IC產業產值為新台幣2.45兆元(約合758億美元),年增8.2%。

其中IC設計業產值為新台幣6,531億元,年增10.2%。


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