10納米製程競賽開打 英特爾台積電三星齊較勁

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半導體市場第2季需求明顯趨緩,但國際半導體設備材料產業協會(SEMI)公布2015年4月份北美半導體設備訂單及出貨金額,卻同步攀上近3年新高,其中有2個主要原因,一是內存廠力拚20納米DRAM製程微縮及3D NAND擴產;二是晶圓代工廠10納米製程競賽正式開打。

台積電16納米鰭式場效電晶體(FinFET)製程已進入量產階段,雖然進度上落後三星14納米FinFET製程,但台積電信心滿滿地認為第3季產能快速拉升後,明年將可奪回14/16納米FinFET製程市場占有率,且加計20納米的市占率將在明年遠遠超過競爭對手。

為了避免先進位程推進速度落後對手的情況再度發生,台積電今年拉高資本支出逾100億美元,全力投入10納米FinFET製程的研發,預計今年底就可開始試產,接受客戶的產品設計定案(tape-out),明年底將進入量產。

雖然台積電10納米進度仍落後半導體市場龍頭英特爾,但已明顯拉進雙方的技術差距。

不過,三星也非省油的燈,根據外電報導,三星在美國舉辦的會議中,宣布10納米FinFET製程將在明年底全面投產,時間點與台積電大致相同。

三星晶圓代工部門副總裁Hong Hao表示,三星10納米製程在功耗、晶片尺寸、效能上都有很大的優勢。

為了對抗台積電,三星的14納米布局也加速進行,與晶圓代工廠格羅方德進行策略聯盟。

三星位於韓國的2座晶圓廠、位於美國奧斯汀的12吋廠、以及格羅方德位於美國紐約州的晶圓廠,都已導入14納米製程並開始生產。

根據俄羅斯科技網站Mustapekka.fi獨家拿到的英特爾2013年-2016年計劃時程,英特爾打算在明年第3季發表採用10納米製程技術的「Cannonlake」處理器,而14納米的Skylake架構系列處理器則會如期在今年第4季問世。

(完)

來源:MoneyDJ新聞

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