三星計劃在9月4日展示3nm GAA工藝最新進展

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日本在6月4日宣布,管制對韓國出口光刻膠、氟化聚醯亞胺和氟化氫三種用於半導體製造的原材料,讓韓國面板、半導體兩大支柱行業面臨危機。日本管制的三種主要材料中,用戶製造光科技光源的氟化氫影響最大,對三星晶圓代工、存儲晶片生產都有致命影響,甚至出現了三星因得不到供應停止研發7nm EUV工藝的開發。

三星似乎有意證明,他們有能力原材料限制的困境。雖然韓媒有消息稱,三星將取消9月4日在日本舉行的「三星晶圓代工論壇」活動,但三星方面明確表示該活動將如期進行。

三星最近幾年,每年都會舉行多場「三星晶圓代工論壇」(SFF),9月4日在日本舉行專場的重點是三星正在開發的3nm GAA環繞柵極工藝。這種工藝將會應用於3nm節點的產品中,是5nm節點後又一重要節點。

三星3nm工藝將會基於全新的GAA電晶體結構,通過使用納米片設備製造出MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應管),顯著增強電晶體性能,取代FinFET成為電晶體技術。而且MBCFET技術還能兼容現有的FinFET製造工藝的技術及設備,從而加速工藝開發及生產。

三星是目前唯一一家公布具體3nm節點技術路線的公司;英特爾現在只提到7nm工藝,5nm何時上馬尚未定論,更別說3nm工藝;台積電雖然計劃投資250億美元建設3nm晶圓廠,但台積電同樣沒有公布3nm工藝的技術路線,是否使用全新設計的電晶體也無從知曉。

三星自信會在3nm節點上領先其他對手,最快在2021年量產3nm GAA工藝。


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