聯電2016僅掙83.16億元,好消息是14nm終於要來了

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晶圓代工大廠聯電於23 日下午召開線上法說,並且公布2016 年第4 季財務數字。

根據財報顯示,聯電2016 年第4 季合併營收達新台幣383.1 億元,較2016 年第3 季的新台幣381.6 億元微幅成長0.4%,較2015 年同期的新台幣338.5 億元,年成長逾一成,達到13.2%。

第4 季毛利率則是來到22.9%,較第3 季成長1.1%,凈利方面則受業外虧損及所得稅費用增加影響,為25.48 億元,較第3 季減少14.4%,每股EPS 為0.21 元。

聯電執行長顏博文指出,合計2016 年聯電合併營收來到1,478.7 億元,較2015 年增加2.1%,凈利83.16 億元,則較2015 年減少38.2%,每股EPS 為0.68 元。

2016 年第4 季在晶圓製造的項目上,營收為382.2 億元,整體產能利用率增加至94%。

出貨量以8 吋晶圓計算,約為166 萬片。

整體來說,聯電第4 季的28 與40 納米產能利用率,維持90% 以上的水準。

另外,在8 吋晶圓的製造上,受惠於消費性電子與通訊市場需求提升,也使得8 吋產能利用率接近滿載水準。

展望2017 年,顏博文表示,第1 季在季節性調整的影響下,產能利用率雖有所下降,但仍將維持約90% 的水準。

至於在晶圓出貨量上,也預期將下降1%,而產品平均銷售單價則下滑約3% 的金額。

聯電2016 年因為有廈門12 吋廠的建廠需求,使得整體資本支出達到28 億美元的金額。

而在廈門12 吋廠於2016 年11 月正式進入量產之後,預估2017 年的資本支出金額將下降至20 億美元。

至於,14 納米先進位程方面,在經過與客戶溝通與合作討論後,14 納米製程技術在電性速度與耗電量的表現已經符合產業水準,近期良率也達到客戶要求,預計自2017年第1 季開始出貨。

對比一下曾經勢均力敵的對手台積電2016年高達三千多億的利潤,這些年聯電是怎樣被它一步步拉開的呢?

怎麼就被TSMC拉大了差距

回顧兩者的成長史,真正讓聯電創始人曹興誠砸掉其聯電的宏圖霸業、從此再也追趕不上台積電的分水嶺,還在於1997年的一場大火,與2000年聯電與IBM的合作失敗。

我們在前述中提到,聯電的每個晶圓廠都是獨立的公司,「聯瑞」就是當時聯電的另一個新的八吋廠。

在建廠完後的兩年多後,1997年的八月開始試產,第二個月產就衝到了三萬多片。

該年10月,聯電總經理方以充滿企圖心的口吻表示:「聯電在兩年內一定幹掉台積電!」不料兩日後,一把人為疏失的大火燒掉了聯瑞廠房。

火災不僅毀掉了百億廠房,也讓聯瑞原本可以為聯電賺到的二十億元營收泡湯,更錯失半導體景氣高峰期、訂單與客戶大幅流失,是歷史上台灣企業火災損失最嚴重的一次,也重創了產險業者、賠了100多億,才讓台灣科技廠房與產險業者興起風險控制與預防的意識,此為後話不提。

在求新求快的半導體產業,只要晚別人一步將技術研發出來、就是晚一步量產將價格壓低,可以說時間就是競爭力。

在聯瑞被燒掉的那時刻,幾乎了確定聯電再也無法追上台積電。

2000年與IBM的合作,對聯電來說又是一次重擊,卻是台積電翻身的關鍵。

隨著半導體元件越來越小、導線層數急遽增加,使金屬連線線寬縮小,導體連線系統中的電阻及電容所造成的電阻/電容時間延遲(RC Time Delay),嚴重的影響了整體電路的操作速度。

要解決這個問題有二種方法── 一是採用低電阻的銅當導線材料;從前的半導體製程採用鋁,銅的電阻比鋁還低三倍。

二是選用Low-K Dielectric (低介電質絕緣)作為介電層之材料。

在製程上,電容與電阻決定了技術。

當時的IBM發表了銅製程與Low-K材料的0.13微米新技術,找上台積電和聯電兜售。

該時台灣半導體還沒有用銅製程的經驗,台積電回去考量後,決定回絕IBM、自行研發銅製程技術。

聯電則選擇向IBM買下技術合作開發。

然而IBM的技術強項只限於實驗室,在製造上良率過低、達不到量產。

到了2003 年,台積電0.13 微米自主製程技術驚艷亮相,客戶訂單營業額將近55億元,聯電則約為15億元。

再一次,兩者先進位程差異拉大,台積電一路躍升為晶圓代工的霸主,一家獨秀。

英偉達CEO兼總裁黃仁勛說:「0.13微米改造了台積電。

現在的聯電在最高端製程並未領先,策略上專注於12 吋晶圓的40以下納米、尤其28納米,和8吋晶圓成熟製程。

除了電腦和手機外,如通訊和車用電子晶片,幾乎都採用成熟製程以控制良率、及提供完善的IC給予客戶。

聯電積極利用策略性投資布局多樣晶片應用,例如網絡通訊、影像顯示、PC等領域,針對較小型IC設計業者提供多元化的解決方案,可是說是做台積電不想做的利基市場。

有被中芯國際超越的危險

根據市場調查研究機構IC Insights 的最新調查報告表示,2016 年全球前四大晶圓代工廠台積電(TSMC)、格羅方德(Globalfoundries)、聯華電子(UMC)和中芯國際(SMIC)總計占全球市場總量的85%。

其中,台積電獨占全球晶圓代工市場59% 的市占率,而格羅方德、聯華電子和中芯國際3 家公司則合計占有市場26% 的比率。

當中最讓聯電擔憂的是排在氣其後的中芯國際在中國半導體建設大潮的推動下,超越聯電,成為第三大晶圓代工廠商。

中芯國際去年錄得31%的增長,繼前年取得營收高速增長後去年的增速進一步提速,市場份額提升至6%,與聯電的營收差距進一步縮窄,這與中國市場的晶片設計企業迅速成長有很大關係,此外也與全球晶片霸主高通的大力支持有重要關係。

受中國反壟斷調查的壓力,高通在2015年選擇與中芯國際合作,幫助後者提升工藝製程,同時將部分晶片訂單交給後者。

在高通的幫助下,中芯國際的28nm工藝迅速在2015年量產,更在去年成功將工藝改進到28nm HKMG,與聯電處於同一水平。

聯電眼下14nm FinFET工藝進展緩慢,導致它未能在去年底成功量產,最終只能在廈門的12寸晶圓廠引入40nm工藝,台灣方面要求聯電和台積電必須在台灣投產領先在大陸建設的晶圓廠一代工藝。

中芯國際在先進的28nm HKMG開始投入生產後,大陸的晶片設計企業就無需再前往台灣,而這一市場自2014年中國推出的集成電路產業基金成立以來晶片設計企業開始日益興盛,憑藉著這種地利優勢它的營收於是取得了迅速的增長。

今年和明年中芯國際的最大挑戰就是其14nm FinFET工藝能否如期投產了。

台媒方面指聯電將在今年投產期14nm FinFET工藝,這樣其廈門工廠應該能在今年引入28nm HKMG工藝與中芯國際競爭,明年台積電的南京12寸晶圓廠投產預計會引入16nm FinFET工藝。

如果中芯國際不能在明年順利投產14nm FinFET工藝,這將給它帶來重大挑戰,不過早在2015年中它與高通、華為、IMEC等達成合作加快該工藝的研發,近期再獲得領導台積電16nm FinFET工藝研發的蔣尚義加盟,更傳可能攬得FinFET工藝研發的領先者梁孟松,梁孟松是台積電和三星FinFET工藝的重要功臣。

在中芯國際的營收迅速增長的同時,其也在加大研發投入,去年其資本開支提高到25億美元,這是它首次在該項支出上超過聯電,後者去年的資本支出為22億美元,這也有助於中芯國際加速其14nm FinFET工藝的研發,因此筆者認為中芯的14nm FinFET工藝明年如期量產的可能性很大。

半導體先進工藝對於一個國家的晶片產業極為重要,中國大陸的華為海思、展訊已居於全球晶片設計企業前十,但是它們都曾被台積電優先將先進工藝產能提供給高通、蘋果等體量更大的晶片設計企業,更不要談大陸其他體量更小的晶片設計企業了,其實也正是因為中芯國際取得的進步才迫使台積電和聯電進入大陸開設晶圓廠並引入更先進的工藝。

感到壓力的聯電現在正在和中國大陸緊密合作,能跟上領先者的步伐,保持差距,然後拉開和追逐著的距離,就看後幾年的營運了。

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