X30受台積電10nm量產影響,聯發科出走GF

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聯發科在去年將其高端晶片helio X30和中端晶片helio P30押寶台積電的10nm工藝,但是卻因為後者的10nm工藝量產延遲和良率問題導致X30錯失上市時機,P30傳聞也將被放棄,受此影響聯發科有意將部分訂單交給GF,避免完全受制於台積電重蹈覆轍。

多家晶片企業台積電的先進工藝量產影響

高通為台積電的長期大客戶,不過2014年台積電從三星手裡搶到了蘋果的A8處理器訂單,台積電採取了優先照顧蘋果的策略,將其最先進的20nm工藝優先用於生產蘋果的A8處理器,這導致採用該工藝的高通的驍龍810量產時間過晚優化時間不足,再加上當時該晶片所採用的ARM高性能公版核心A57功耗過高,驍龍810出現發熱問題導致高通在高端市場遭遇重大挫折,高端晶片出貨量同比下滑六成。

高通由此出走,將其高端晶片轉交三星半導體代工,當然這也有它希望籍此獲得三星手機採用它更多的晶片。2015年底高通採用三星的14nmFinFET工藝生產的驍龍820性能和功耗優良,大獲市場歡迎,去年其中端晶片驍龍625也轉用三星的14nmFinFET,近期其中高端晶片驍龍660同樣轉用三星的14nmFinFET,至此可以說高通已將晶片訂單大量轉單三星離開台積電。

華為海思受台積電的16nmFinFET工藝影響。在高通離開後,台積電轉而與華為海思合作開發16nm工藝,2014年台積電量產16nm工藝不過由於能耗不佳只是用於生產華為海思的網通處理器晶片,沒有手機晶片企業採用該工藝;雙方繼續合作於2015年三季度量產16nmFinFET,不過台積電同樣選擇優先照顧蘋果的策略用該工藝生產A9處理器導致華為海思的麒麟950量產時間延遲。受此影響去年華為海思選擇採用16nmFinFET工藝生產其新一代高端晶片麒麟960,而不是等待台積電的最先進工藝10nm工藝。

聯發科在連續衝擊高端市場而不可得的情況下,去年其計劃在中端helio P35和高端晶片helio X30上全面採用台積電的最先進工藝10nm工藝,不過台積電的10nm工藝直到今年初才量產隨後又遇上了良率問題,這導致高端晶片helio X30上市後被大多數中國手機企業放棄,據說三季度台積電用10nm工藝全力生產蘋果的A11處理器而不會再有空餘產能供給其他晶片企業,這也就導致聯發科放棄helio P35,轉而採用台積電產能充足的16nmFinFET的改良版12nmFinFET生產新款中端晶片helio P30。

聯發科將選擇同時由GF和台積電代工

受helio X30上市不受中國大陸手機品牌歡迎以及目前除X30外沒有晶片可以支持中國最大運營商中國移動要求支持的LTE Cat7技術所影響,聯發科今年一季度的晶片出貨量大減,季度出貨量跌穿1億片,營收環比大跌17%,據IC Insights發布的最新數據顯示今年一季度德國晶片企業英飛凌成功超越聯發科擠入全球半導體企業第十名,受此打擊後它開始考慮轉變自己的策略,以擺脫當下在代工方面完全依賴台積電的局面。

台媒指聯發科內部開始評估採用極受關注的格羅方德(簡稱GF)22nm FD-SOI製程,該工藝有低功耗優勢,相較台積電和Intel全力開發的FinFET工藝又有成本優勢,在低端手機晶片、物聯網等領域有廣闊的空間。

格羅方德在中國大陸建設的半導體製造工廠就引入了22nm FD-SOI製程,希望在這個市場搶奪正高度受關注的物聯網市場,與台積電南京廠的16nmFinFET、中芯國際和聯電廈門工廠的28nm實現差異化競爭。

聯發科採用格羅方德的22nm FD-SOI,估計是用於生產其低端的手機晶片,憑藉低功耗和低成本優勢應對大陸晶片企業展訊的競爭,同時它也有意用該工藝生產物聯網晶片。聯發科的物聯網晶片去年以來就在大陸火熱的共享單車市場奪得大量訂單,近期其有意併購無線通信晶片廠絡達也是意在物聯網市場。

對於聯發科來說,引入一個新的半導體代工企業也有助於它平衡與台積電的關係,高通出走後台積電其實也是相當緊張的,去年就傳聞它希望吸引高通回歸採用它的10nm工藝,結果卻是高通進一步將更多的晶片訂單轉往三星。聯發科貴為全球第二大手機晶片企業,在失去高通更多的晶片訂單後如果聯發科也將部分訂單轉往格羅方德無疑將讓台積電更為緊張,將迫使台積電思考當前它優先照顧蘋果這種策略的影響。

從這個方面來說,聯發科未來將部分訂單轉往格羅方德是必然的,而眼下正是一個適當的時機。聯發科的做法也值得中國大陸晶片企業思考,它們顯然已採取行動,華為海思已與中芯國際合作開發14nmFinFET工藝,展訊則選擇與Intel合作採用其相當於台積電的10nm工藝的14nmFinFET工藝生產晶片。


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