不拼7nm工藝了,GF推首個300mm矽鍺晶圓,晶振頻率高達370GHz

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8月底Globalfoundries(格羅方德,簡稱GF)公司宣布放棄7nm及節點工藝研發,專注目前的14/12nm FinFET及22/12FDX工藝。這一變化導致AMD將7nm工藝的CPU、GPU晶片訂單全部交給台積電代工,另一家公司IBM也選擇台積電代工未來的Power處理器。GF放棄7nm工藝雖然讓他們無法參與未來高性能CPU/GPU競賽,不過對GF自己來說這次可以說甩掉了負擔,現在他們專注更賺錢的RF射頻晶片業務了,上周GF宣布推出業界首個300mm矽鍺晶圓工藝,該技術提供出色的低電流/高頻率性能,改善了異質結雙極電晶體(HBT)性能,與之前的矽鍺 8XP和8HP相比,最大振蕩頻率(Fmax)提高了35%,達到370GHz。

矽鍺晶圓是一種特殊的半導體工藝,傳統半導體是矽基晶圓為主,不過金屬鍺具備優秀的電氣性能,成本與矽晶圓相當,比砷化鎵工藝更低,在FR射頻晶片中使用較多,該技術是IBM發明的,但GF公司收購了IBM的晶圓業務,繼承了IBM在矽鍺晶圓技術上的衣缽並發揚光大,這次推出的300mm矽鍺晶圓就是業界首次,因為之前的矽鍺晶圓主要使用200mm晶圓。

該工藝被稱為9Hp(一種90nm矽鍺工藝),相比目前的8XP/8HP使用的130nm工藝,9Hp工藝還提升到了90nm水平,其生產工廠遷移至紐約州東菲什基爾的格芯Fab 10工廠以實現300mm晶圓生產技術。

GF的9HP延續了成熟的高性能矽鍺BiCMOS技術的優勢,支持微波和毫米波頻率應用高數據速率的大幅增長,適用於下一代無線網絡和通信基礎設施,如TB級光纖網絡、5G毫米波和衛星通信(SATCOM)以及儀器儀表和防禦系統。該技術提供出色的低電流/高頻率性能,改善了異質結雙極電晶體(HBT)性能,與之前的矽鍺 8XP和8HP相比,最大振蕩頻率(Fmax)提高了35%,達到370GHz。

在紐約東菲什基爾的Fab 10工廠,正在進行基於多項目晶圓(MPW)的9HP 300mm工藝客戶原型設計,預計2019年第二季度將提供合格的工藝和設計套件。

在退出7nm高性能工藝節點研發之後,RF射頻晶片相關的業務已經稱為GF公司的重點。


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